경기도, 시스템반도체 소재 '국산화' 추진

  • 입력 : 2019-09-24 07:55
한국나노기술원과 함께 '시스템 반도체 국산화 연구지원사업' 개시
오는 2022년까지 총 30억원 투입
인듐갈륨비소 에피웨이퍼 및 초고속통신소자 개발

▲ 경기도-한국나노기술원 국산화 연구사업 나서 경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진합니다.

도는 한국나노기술원과 함께 총 30억원의 예산을 투입하며 오는 2022년 까지 국산화를 위한 연구 사업을 펼칠 계획입니다.

도는 이번 사업을 통해 초고속통신에 사용하는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발합니다.

인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼는 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재로 알려졌습니다.

주로 5G와 사물인터넷(IoT), 자율차 실현을 위한 핵심부품으로 전해졌습니다.

최병길 도 과학기술과장은 "해외 수입에 의존하고 있는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 초고속 통신소자(HEMT)를 국산화하게 될 경우, 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”라며 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것"이라고 말했습니다.

KFM 경기방송 = 오인환 기자

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2024.03.28